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2011年11月 7日 (月)

iPodで世界一評価を再認識された、わが国最高度研磨技術考

弁理士 佐成 重範 Google検索 SANARI PATENT

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研磨工程は、製品機能の高度化とデザイン感性発揮のため、技術的独創と芸術的創出と人的ノウハウとが揃って追求される分野だが、アップル前会長の伝記発刊によって、この分野での、日本の研磨技術の独歩優秀性が全世界に再喧伝された(R Site2011-11-07ご参照)。ここには、これより遥かに広汎な分野における最近の特許庁公開「研磨」関係技術の事例を掲げる(SANARI PATENT要約)。

1     画像形成について、京セラミタ「クリーニング装置およびこのクリーニング装置を備えた画像形成装置」(特許庁公開日2011-11-04)→ クリーニングローラに供給されるトナー量に増減が生じても、クリーニングローラ表面に均一な厚さのトナー層を形成して、感光体ドラムを均一かつ安定的に研磨することができ、長期間の使用においても安定的に感光体ドラムの研磨が可能なクリーニング装置およびこのクリーニング装置を備えた画像形成装置を提供する。

2     酸化ケイ素半導体の製造について、日立化成工業「酸化ケイ素用研磨剤、添加液および研磨方法」(特許庁公開日2011-11-04)→ 半導体製造方法において、ポリシリコン膜上の酸化ケイ素膜を高速で研磨でき、かつ、ポリシリコン膜の露出時に、ポリシリコン膜の研磨の進行を抑えることができる酸化ケイ素用研磨剤と、それを用いた研磨方法を提供する。

3     キャパシタ(SANARI PATENT注: 電気二重層現象を応用した蓄電媒体)誘電体の結晶性について、富士通セミコンダクター「半導体装置の製造方法」(特許庁公開日2011-11-04)→ 低圧CMP研磨またはECMP研磨(SANARI PATENT注: Chemical Mechanical Polishingまたは加電圧電解CMP)により層間絶縁膜上の銅膜を除去することにより、キャパシタの誘電体膜を構成する強誘電体または高誘電体の結晶性が良好で、スイッチング電荷量が高く、低電圧動作が可能で信頼性が高い半導体装置およびその製造方法を提供する。

4     EUVリソグラフィ(SANARI PATENT注: EVUは極短波長の超紫外線を用いてシリコンウエハに微細な回路イメージを焼付ける技術。感光性物質を塗布した物質の表面をパターン露光して像を生成する技術)の精度向上について、凸版印刷「EUV用反射型マスクおよびEUV用反射型マスク製造方法」(特許庁公開日2011-11-04)→ 保護膜層上の吸収体層を研磨除去する工法により、射影効果の影響が抑制され、縦方向成分と横方向成分の関係における位置ずれを低減させる。など。

(コメントは sanaripat@gmail.com  にご送信ください)

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